开发热蒸镀环保半导体

半导体是我们生活中不可或缺的产品，从智能手机、电脑到汽车，应有尽有。然而，它们的发展越来越多地带来了一个问题：随着半导体在功能和产量方面的改进，环境成本也随之增加。

半导体制造过程中不可避免地产生的温室气体和废物已被视为严重的环境问题，面对气候危机，学术界和工业界都在努力应对。

POSTECH化学工程系Yong-Young Noh教授和Ao Liu博士领导的研究团队通过简单的热蒸发工艺成功开发出高性能的Bi2S3n型半导体和p型Te半导体.

这项技术引起了人们的关注，因为它们可以使用用于制造第 8 代大面积 OLED(2200 × 2500 mm)的热蒸发工艺在大面积上生长，用于 OLED 显示器的驱动电路和各种半导体电路，因为它便宜且环保。

金属氧化物/多晶硅(LTPO)由于其低功耗，目前具有为移动设备提供更长电池寿命的优势，但需要高成本和复杂的制造工艺。为了满足对环境、社会和治理 (ESG) 管理日益增长的需求，人们进行了大量研究，以通过降低能耗来开发更简单、更环保的半导体制造工艺。

Noh教授的团队决定使用一种二维材料，一种类似于石墨烯的过渡金属硫属元素。硫属元素是指硫、硒和碲，它们(不包括氧)构成元素周期表中的第 16 族。由这些过渡金属制成的化合物兼具导体和半导体的特性。

与传统的溶液工艺不同，研究团队使用 Bi2S3通过热蒸发工艺制造半导体薄膜，在该工艺中，材料在高真空中热蒸发，产生的蒸汽附着在板上。

这种可以通过简单的热处理来控制电荷量并且可以在不掺杂的情况下任意制造半导体和导体的过程被认为是该研究的核心专有技术。

研究团队在此工艺基础上实现了高性能n型薄膜晶体管，并以同样的方式成功开发出Te高性能p型半导体。